英伟达首席财务官科莱特·克雷斯近日在接受采访时表示，当前席卷行业的内存短缺，本可以通过更早下单来规避，并暗指不少竞争对手对价格飙升的预判严重不足。 她强调，英伟达很早就意识到高性能 AI 芯片将推高高带宽内存（HBM）和 DDR 内存价格，因此提前锁定了大批供给，在其他公司为高价抱怨时，英伟达已相对从容。随着 AI GPU 对内存带宽和容量的需求飙升，HBM 与 DDR 市场双双陷入动荡。 有测算显示，仅英伟达的 Rubin AI 平台在 2027 年对 LPDDR 内存的需求，就可能超过苹果与
关键字：
英伟达 AI 芯片 内存
由东京大学牵头的科研团队，成功研制出一款非易失性自旋电子存储开关器件。该器件摒弃传统电荷存储模式，采用锰锡反铁磁晶体结构，仅需 40 皮秒即可完成磁态改写。此项研究由东京大学理学部对外发布，成果刊载于《科学》期刊，旨在攻克人工智能服务器与高速计算领域的核心技术瓶颈：实现数据切换与传输过程中，大幅减少输入能量转化为热能的损耗。依托磁态切换运作的自旋电子存储器该器件采用锰三锡反铁磁材料搭配金属钽制备而成。不同于动态随机存储器依靠电容电荷存储数据，这款器件以磁态表征二进制数据。研究人员通过短时电脉冲产生自旋轨道
关键字：
半导体 东京大学 自旋电子学 内存
当前 AI 基础设施存在核心架构矛盾：GPU 仍是大规模 AI 训练和推理的主流计算引擎，但前沿大语言模型的计算特性正在发生变化，逐步暴露 GPU 原始设计的固有缺陷。内存墙成为 GPU 效率核心瓶颈内存墙指处理器计算速度与内存数据供给速度之间不断扩大的差距，导致强大的计算单元长期处于闲置状态，等待数据传输。以英伟达 H100 为例，其纸面 FP8 张量算力可达数 PetaFLOPS，高带宽内存吞吐量达数 TB/s。但在万亿参数级大语言模型推理场景中，系统通常受限于内存而非计算，算术强度常低于 10 FL
关键字：
GPU架构 AI 负载 内存
即使以最保守的态度预测，全球半导体市场今年也将迈入万亿美元规模。（SIA）最新数据，以及 Future Horizons、IDC 等分析机构的预测均显示，今年半导体市场总值将突破一万亿美元。行业分析机构 Future Horizons 的马尔科姆・彭恩给出了极端悲观情景预判：即便本季度行业出现罕见崩盘，市场规模仍能达到9010 亿美元；而其余所有机构预测值均已跨过万亿门槛。其最乐观预期更是直指 2026 年市场规模达1.6 万亿美元，一年内实现市值翻倍。彭恩表示，2026 年第一季度全球半导体销售额达29
关键字：
人工智能 内存 半导体
据科技媒体Wccftech报道，下一代标准版iPhone的屏幕可能要退回四年前的水平。随着内存成本不断上涨，苹果似乎不得不在产品策略上做出取舍。iPhone 18标准版可能会采用M14或M12+面板，其中M12+目前被认为是最可能的选择。分析人士Schrödinger Intel预测，苹果可能将在iPhone 18基础款的屏幕上严重减配，将采用M12+基材，而这还是多年前iPhone 14 Pro上的屏幕基材。他表示，苹果将不会在发布会中提到M12+发光基材。Schrödinger Intel：“Appl
关键字：
iPhone 屏幕 内存 三星
TrendForce最新存储器产业研究指出，大厂逐步退出成熟DDR4以下产品制造的策略不变，在市场供给结构持续收敛下，过去几个月，整体价格已累积惊人涨幅。 由于目前市场供需仍未平衡，市场普遍看好，内存报价涨势，至少将延伸到今年下半年。TrendForce考量供给持续缩减，以及订单转移，但台厂产能扩张不及等因素，预估2026年第二季consumer DRAM合约价格，仍将持续季增45~50%。内存业者则更乐观的预期，今年全年价格都将维持向上趋势。TrendForce表示，2026年3月consumer DR
关键字：
内存 TrendForce DRAM
当前由 AI 驱动的内存紧缺问题，早已超出高端加速计算系统的范畴。国际数据公司（IDC）指出，2026 年动态随机存取存储器（DRAM）与闪存（NAND）价格持续上涨、供应持续收紧，正重塑智能手机与个人电脑市场；集邦咨询（TrendForce）则预测，2026 年第一季度个人电脑用 DRAM 合约价环比涨幅将超 100%。SK 海力士曾预警此轮短缺或持续至 2030 年，如今供应压力已不再局限于高带宽内存（HBM）领域。供应短缺绝非仅数据中心难题美光在 3 月 18 日表示，人工智能与传统服务器需求均受
关键字：
AI 内存紧缺 内存 TrendForce
美光首席执行官桑杰・梅赫罗特拉表示，随着车企推出 L4 级自动驾驶车型，未来汽车所需的内存容量最终将突破 300GB。据《英国登记册》报道，梅赫罗特拉是在美光发布季度财报后作出该表态的。财报显示，美光今年第二季度营收达 238.6 亿美元，较 2025 年第二季度的 80.3 亿美元实现了 200% 的大幅增长。此次营收暴涨，核心驱动力仍是人工智能超大规模运算厂商对高端高带宽存储（HBM）芯片的海量需求，同时叠加行业结构性供应短缺与美光自身全方位的出色运营表现。在借人工智能基础设施建设持续盈利的同时，美光
关键字：
美光 L4 自动驾驶汽车 内存
据3D Center追踪的德国内存市场行情显示，2026年3月，其监测多款DDR5内存套装平均价格环比下跌7.2%，价格指数回落至408%，这也是DDR5内存自2025年7月以来首次出现降价。3D Center的数据图表来源于Gheizal，该平台追踪德国多家硬件零售商的产品价格。以2025年7月价格为基准：8-9月，DDR5价格小幅上涨；10月，均价环比上涨15.8%（涵盖8GB、16GB、24GB、32GB、48GB各频率DDR5套装）；11月，暴涨49.5%；12月，涨幅达到峰值93%；1月，继续上
关键字：
DDR5 内存 价格
3 月 13 日消息，得益于 AI 需求，包括 HBM 和 NAND 闪存在内的各种存储芯片已经普遍处于供不应求的局面。在此背景下，英伟达正加强与战略伙伴的前瞻性技术合作，而不仅仅停留在简单的供应关系上。据《首尔经济日报》昨日报道，英伟达现已加入了三星电子的研发行列，共同开发新的 AI 技术并合作研发铁电 NAND 闪存。英伟达直接参与内存研发，尤其是尚未商业化的铁电 NAND 这类未来技术，实属罕见之举。铁电 NAND 正被视作一项有望同时破解大型科技公司当前面临的两大难题的突破性技术：内存芯片短缺与
关键字：
英伟达 内存 三星 NAND
海力士宣布成功研发首款 LPDDR6 动态随机存取存储器，超性能版LPDDR6内存较LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%，16Gb 芯片速率达 10.7Gbps，基于 10nm 工艺打造。LPDDR6 内存架构一旦落地于 SOCAMM 模组，或将成为数据中心市场的一大助力。这家存储芯片厂商同时透露，此款 LPDDR6 内存基于其 2024 年发布的领先 10nm 级（1c）工艺节点打造。新款 LPDDR6 内存芯片基础运行速率超 10.7Gbps，远超目前市场上性能最强的在售 LPDDR5X 内存
关键字：
海力士 LPDDR6 内存 LPDDR5X
有件事我完全没预料到：基于真菌的电子器件或许能在某种类神经计算中派上用场。等等，这到底是怎么回事？事情是这样的：美国俄亥俄州立大学的研究人员近期发现，一些常见的食用菌（比如香菇）可以被培养并 “训练” 成有机忆阻器—— 一种能够记住过往电学状态的电子元件（图 1）。图 1：基于真菌忆阻器搭建的易失性存储电路研究人员使用真菌忆阻器和传统插件式原型板搭建了易失性存储电路。他们的演示表明，这些基于香菇的器件不仅能表现出与半导体芯片相似、可重复的存储效应，还可用于制造其他低成本、环保、类脑计算的元器件。说实话，人
关键字：
忆阻器 有机 可持续 RAM 易失性存储
厂商不得不直面的残酷现实 —— 如何应对内存价格暴涨带来的成本压力。据媒体报导，中国智能手机市场首轮涨价或将于一周内落地。
关键字：
智能手机 内存
人工智能引发内存供应危机，DRAM 市场被迫启用 “小时级定价” 模式 —— 数万家中小企业为生存展开激烈争夺逾 19 万家中小型电子企业正被人工智能浪潮挤出内存市场。据《电子时报》今日发布的报道，受人工智能需求激增引发的内存短缺问题持续加剧影响，内存价格开始以小时为单位波动。半导体行业内部人士提醒，若中小厂商无法预付货款并立即下单，短短数分钟内报价就可能大幅上涨。报道指出，当前内存市场已明显分化：约 100 家头部采购商凭借议价能力牢牢掌握货源，而超过 19 万家中小企业只能争抢剩余的少量库存。人工智能
关键字：
内存 DRAM NAND
AI爆发带动内存紧缺远超过传统供需模式，俨然成为无限扩张的「需求黑洞」。内存供应链指出，现货价与合约价的价差，已经高达40~50%，将促使内存原厂持续调涨合约价的走势，逐渐向与现货市场的价差靠拢。近期传出，两大韩厂提前预告，2026年第2季将大幅提高DRAM合约价约40%，然而供应链预估，依照走势第2季涨幅恐将上看40~70%，NVIDIA GTC 2026更将推动AI记忆体动能加速攀升。NVIDIA GTC 2026即将到来，全球AI盛会将再掀高潮，执行长黄仁勋预告，将在大会上发表「前所未见」的全新芯片
关键字：
内存 涨价 NVIDIA GTC 2026
ram 内存介绍
您好，目前还没有人创建词条ram 内存!
欢迎您创建该词条，阐述对ram 内存的理解，并与今后在此搜索ram 内存的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473